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PECVD和LPCVD的主要差别在于源气体输送方式的不同。

1. PECVD是通过将进气室内的气体与空放电产生的的电子和离子相互作用来进行薄膜生长的 , 其源气体是采用气体分子弹击法来输送的。

2. 相反，LPCVD的源气体则是采用低压气体组成的混合物通过泵抽或者压力抬升输送进入反应室内，原始气体则在高温环境下经过裂解或者化学反应后才能形成目标气体，然后完成薄膜生长。因此，PECVD和LPCVD在薄膜生长的源气体输送方式上存在巨大差异。

LPCVD（Low Pressure），在常压下气体分子运动速率快于化学反应速率，成膜时反应不完全形成孔洞，影响成膜质量，通过真空泵将炉腔内抽成低压，而低压使得在适当温度下，分子的运动速率慢于化学反应速率，提高了成膜质量。

PECVD（Plasma Enhancd），在反应炉外增加一个可变频率的电场，施加的电场把目标材料源气体电离，增加气体活性，实现在不升高温度的前提下提高气体的反应速率。

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